نجحت شريحة الذاكرة HBM3E المكونة من 8 طبقات من سامسونج إلكترونيكس في اجتياز اختبار Nvidia، مما مهد الطريق لإمدادها بمعالج الذكاء الاصطناعي، والذي من المتوقع أن يبدأ في الربع الرابع من عام 2024. تعتبر هذه الأخبار ذات أهمية كبيرة لشركة Samsung، حيث تمثل تقدمًا رئيسيًا في منافستها مع SK Hynix. سيشرح محرر Downcodes بالتفصيل الخلفية والتحديات واتجاهات التطوير المستقبلية لهذه الحادثة، كما سيحلل التخطيط الاستراتيجي لشركة Samsung وحالة المنافسة في السوق في سوق الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي.
في الآونة الأخيرة، نجحت شريحة الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي (HBM) من الجيل الخامس من سامسونج، HBM3E، في اجتياز اختبار Nvidia وحصلت على مؤهل للاستخدام في معالج الذكاء الاصطناعي (AI). ووفقا لأشخاص مطلعين على الأمر، ورغم أن الطرفين لم يوقعا بعد على اتفاقية توريد رسمية، فمن المتوقع أن يتم التوصل إليها قريبا، وقد يبدأ التوريد في الربع الرابع من عام 2024. وهذه أخبار جيدة لشركة سامسونج، حيث تجاوزت أخيرًا عتبة مهمة في منافستها مع منافسها المحلي SK Hynix.
ملاحظة لمصدر الصورة: تم إنشاء الصورة بواسطة الذكاء الاصطناعي، والصورة معتمدة من قبل مزود الخدمة Midjourney
ومع ذلك، لا تزال شريحة HBM3E المكونة من 12 طبقة من سامسونج تفشل في اختبار Nvidia. وأشارت المصادر إلى أن سامسونج عملت جاهدة لاجتياز اختبارات Nvidia خلال العام الماضي، لكنها واجهت تحديات بسبب بعض مشاكل الحرارة واستهلاك الطاقة. ومن أجل التعامل مع هذه المشكلات، أعادت سامسونج تعديل تصميم HBM3E واجتازت الاختبار بنجاح في النهاية.
HBM هي ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية (DRAM) تم طرحها لأول مرة في عام 2013. ويتم تكديس الرقائق عموديًا لتوفير المساحة وتقليل استهلاك الطاقة. يعد HBM مكونًا مهمًا لوحدات معالجة الرسومات (GPUs) نظرًا لقدرته على التعامل مع الكميات الكبيرة من البيانات الناتجة عن التطبيقات المعقدة. مع ظهور تكنولوجيا الذكاء الاصطناعي التوليدي، زاد طلب السوق على وحدات معالجة الرسومات عالية الأداء بشكل حاد.
ووفقا لتحليل أجرته شركة الأبحاث TrendForce، من المتوقع أن تصبح رقائق HBM3E سائدة في السوق هذا العام، خاصة فيما يتعلق بالشحنات في النصف الثاني من العام. تعمل SK Hynix أيضًا على تطوير شحنات HBM3E المكونة من 12 طبقة بسرعة. وتتوقع سامسونج أن تمثل شرائح HBM3E 60% من مبيعات شرائح HBM بحلول الربع الأخير من عام 2024. حاليًا، لا يوجد سوى ثلاث شركات تصنيع رئيسية لـ HBM في العالم: SK Hynix وMicron وSamsung التي أصبحت المورد الرئيسي لرقائق HBM لـ Nvidia.
وأخيرًا، يبلغ إجمالي إيرادات شرائح DRAM لشركة سامسونج في النصف الأول من عام 2023 حوالي 22.5 تريليون وون، ويقدر المحللون أن حوالي 10% من هذه الإيرادات قد تأتي من مبيعات HBM. جذبت هذه الأخبار انتباه السوق وجعلت المستثمرين مليئين بالتوقعات بشأن التطور المستقبلي لشركة Samsung.
تسليط الضوء على:
اجتازت شريحة HBM3E المكونة من 8 طبقات من سامسونج اختبارات Nvidia ومن المتوقع أن تكون متاحة في الربع الرابع من عام 2024.
لم تجتاز شريحة HBM3E المكونة من 12 طبقة الاختبار بعد، وقد قامت سامسونج بتعديل التصميم لمواجهة التحديات.
ومن المتوقع أن تصبح رقائق HBM3E سائدة في السوق في النصف الثاني من عام 2023، وينمو الطلب في السوق على وحدات معالجة الرسومات عالية الأداء بسرعة.
بشكل عام، يعد اجتياز شريحة HBM3E من سامسونج لاختبار NVIDIA بمثابة انتصار كبير لها في منافسة سوق الذاكرة المدعومة بالذكاء الاصطناعي، ولكنها تواجه أيضًا ضغوطًا هائلة من المنافسين مثل SK Hynix. في المستقبل، ستحتاج سامسونج إلى مواصلة البحث والتطوير والابتكار لتحسين أداء المنتج والقدرة التنافسية من أجل الحفاظ على مكانتها الرائدة في المنافسة الشرسة في السوق.