Недавно выпущенная флэш-память UFS 4.0 от Samsung, являющаяся продуктом последнего поколения, имеет ли какие-либо улучшения производительности в процессе обновления? Многие пользователи этого не понимают. Вот вам подробный анализ.
Ответ: Использование усовершенствованного чипа памяти UFS 4.0 (Universal Flash Storage Technology).
1. С точки зрения производительности, UFS 4.0 увеличила скорость полосы пропускания на канал до 23,2 Гбит/с, что почти в два раза выше, чем в UFS 3.1.
2. Результаты испытаний с использованием новейшей флэш-памяти V-NAND седьмого поколения от Samsung и основного элемента управления собственной разработки показали, что устойчивая скорость чтения достигает 4200 МБ/с, а устойчивая скорость записи также составляет 2800 МБ/с.
3. Стоит отметить, что самый мощный на данный момент в отрасли чип флэш-памяти Samsung UFS 3.1 емкостью 512 ГБ (выпущенный в марте 2020 г.) имеет номинальную устойчивую скорость чтения 2100 МБ/с и скорость записи 1200 МБ/с. Рассчитанная таким образом скорость записи UFS 4.0 увеличивается примерно в 1,3 раза.
3. Удивительно, но хотя скорость значительно улучшилась, энергопотребление снизилось. По данным Samsung, каждый миллиампер тока может поддерживать скорость чтения 6 МБ/с, что на 46% выше, чем у продукта предыдущего поколения, что поможет продлить срок службы батареи устройства.
4. Кроме того, размер упаковки чипа флэш-памяти UFS 4.0 составляет всего 11x13x1 мм, а максимальная емкость может достигать 1 ТБ.
