在本研究中,嘗試設計一個簡單但有效的 MOSFET 開關電路,可用於觸發電磁發射器。 MOSFET 是一種常用於功率開關的半導體元件,因其具有高效率和快速開關特性。這項研究的主要目標是設計一個未來用於觸發電磁發射器的開關電路。然而,成功的觸發將由 LED 控制,而不是由線圈控制。因此,我們實際上可以將其視為具有 MOSFET 的通用觸發電路。
MOSFET(金屬氧化物半導體場效電晶體)是高效能半導體開關中廣泛使用的元件。本文將討論 MOSFET 在開關中的使用及其相對於其他半導體元件的優點,並解釋一個簡單的 MOSFET 開關電路。特別是用於電源、功率逆變器、DC-DC 轉換器和馬達驅動等應用。 MOSFET 具有低輸入電容、高效率、快速開關和小尺寸等優點。施加在此柵極電極上的電壓會改變絕緣層中的電場。因此,MOSFET的通道區中的電導率受到控制。由於其高輸入阻抗,MOSFET 消耗的功率非常小。
MOSFET在開關方面相對於其他半導體元件的優點如下:
• Low Input Capacitance : The input capacitance of the MOSFET is lower than that of other semiconductor switchers. This allows the MOSFET to switch quickly and enables higher switching frequencies.
• High Efficiency : The internal resistance of the MOSFET is low, which reduces energy loss. Therefore, MOSFET-based switching circuits have higher efficiency.
• High Switching Speed : MOSFET can be switched faster compared to other semiconductor switchers. Therefore, MOSFET-based switching circuits can operate at higher switching frequencies.
• Small Size : MOSFET is smaller in size compared to other semiconductor switchers. This allows for denser circuit designs.
由於MOSFET具有廣泛的應用,許多研究人員正在致力於改進基於MOSFET的開關電路的設計和效能。在 DC/DC 轉換器中,在高開關頻率應用中,MOSFET 比其他半導體開關更值得青睞。與高開關頻率應用中的其他半導體開關相比,MOSFET 具有多種優勢。首先,在高開關頻率應用中使用MOSFET的最重要原因是它們在高開關頻率下的功耗比低開關頻率下的功耗小。因此,MOSFET 在高頻應用中脫穎而出,成為更有效率的選擇。此外,MOSFET 還具有比其他半導體開關元件更高功率密度的優點。透過在更高的功率密度下工作,MOSFET 可以在更高的電流和電壓等級下進行開關。此外,與其他半導體開關相比,MOSFET 的驅動更容易且驅動程度更小。如果驅動電路中的訊號處於高電平或低電平,MOSFET 可以輕鬆切換。因此,與高開關頻率應用中的其他半導體開關相比,MOSFET 效率更高、功率密度更高且更容易驅動。由於這些原因,它們廣泛應用於 DC/DC 轉換器、電力電子應用、高速開關、功率放大器和許多其他應用。
Circuit Elements:
- ARDUINO MEGA ( Microcontroller)
- IRFZ44N (MOSFET)
- PC817 (Optocoupler)
- LM7812 & LM7805 (Linear Voltage Regulator)
- 330R & 10kR (Resistance)
- 0.1uF & 0.22uF &10uF & 100uF (Capacitor)
- LED
在本研究中建立電路時,所有組件的資料表都被一一檢查。考慮了連接引腳、電流和電壓值並進行了相應的設計。在沒有提及應用程式中的數據表資訊或技術細節的情況下,下面提到了有關材料的一般資訊。想要查看詳細資訊的人可以從網路上免費取得資料表,但如果您有任何問題或建議,可以透過我在最後留下的溝通管道與我聯繫。
IRFZ44N 是一款 N 通道功率 MOSFET 電晶體。此電晶體是高電流和低頻開關中常用的選擇。 IRFZ44N具有高導電率、低電阻和快速開關特性。 IRFZ44N 採用 TO-220 封裝,通常具有 55V 和 49A 的最大載流能力。此外,由於其低輸入電容,此組件也可用於快速開關應用。
Arduino Mega 是 Arduino 平台的增強型微控制器板。它提供更多的輸入/輸出 (I/O) 連接埠和更多的記憶體容量。 Mega 包括 54 個數位輸入/輸出引腳(其中 14 個可用作 PWM 輸出)、16 個類比輸入、4 個 UART(串行通訊)連接、4 個外部中斷引腳等。這些功能使 Arduino Mega 非常適合需要更多輸入/輸出連接的更複雜的專案和應用。 Arduino Mega 具有廣泛的應用範圍。它特別適合機器人、自動控制、感測器網路和數據記錄器等應用。然而,在一個項目中,它僅用於數位觸發。 Mega的功能和廣泛的使用範圍使專案變得更加先進和全面。然而,在本研究中,它僅用於數位觸發。 PC817是光隔離器,用於隔離輸入訊號。它提供低功率設備和高功率設備之間的安全連接,也可用於高速資料傳輸應用。
LM7812 和 LM7805 是電子設備中使用的具有不同電壓輸出的線性穩壓器。 LM7812 提供 12 伏特輸出,用於需要 12 伏特電源的應用,如無線電發射機、放大器等,而 LM7805 提供 5 伏特輸出,首選用於需要 5 伏特電源的應用,如數位電路、LED照明、智慧家居設備等等。 LM7812和LM7805應用範圍廣泛,是電子專案中常用的元件。
在開關電路中,LED 用於指示開關何時開啟或關閉。當開關打開時,LED 亮起;開關關閉時,LED 保持熄滅。這使得可以直觀地監視電路的狀態。為了防止高電流消耗,電阻器用於限制流經開關中使用的電晶體(例如MOSFET)的電流。這可以防止晶體管過熱和損壞。它還可以防止高電流損壞其他組件。電阻器的值是根據電路的要求和所使用的電晶體的特性來選擇。在該研究中,使用同一微處理器依序觸發 2 個不同的 LED。換句話說,給定實際應用中的電路是透過建構2個給出理論研究的電路而形成的。電磁發射器是非常令人興奮的設備,被視為未來的技術。這些設備利用磁場高速發射物體。如果您想製作自己的電磁發射器,您可以使用 MOSFET 開關電路來製作設備。這是已完成工作的主要內容。我計劃將來開發並實現我分享的這個電路,作為我的 TÜBITAK 2209-A 專案的電磁發射器電路。
如果您有任何回饋,請透過 [email protected] 電子郵件地址與我聯繫。
[1] Chen, Y., & Liu, Q. (2017). Design and implementation of high frequency full-bridge DC/DC converter based on MOSFET. Journal of Physics: Conference Series, 927(1), 012074.
[2] Hua, M., Wang, Z., Shen, Z., & Zhang, Y. (2017). Zero-current-switching full-bridge PWM converter with MOSFET synchronous rectifier. IEEE Transactions on Power Electronics, 33(5), 4145-4155.
[3] Liu, J., & Wang, L. (2019). A new three-phase soft-switching DC/DC converter using MOSFET and synchronous rectifier. Journal of Power Electronics, 19(4), 1064-1074.
[4] Mazumder, S. K., & Pal, A. K. (2018). Dynamic model and control of a single phase MOSFET inverter for renewable energy application. International Journal of Electrical Power & Energy Systems, 98, 437-449.
[5] Razavi, B. (2016). Fundamentals of microelectronics. Wiley.
[6] Sedra, A. S., & Smith, K. C. (2016). Microelectronic circuits: theory and applications. Oxford University Press.
[7] Streetman, B. G., & Banerjee, S. K. (2015). Solid state electronic devices. Pearson.
[8] Zhang, C., Zou, L., Jiao, L., & Zhang, X. (2021). A MOSFET-based DC-DC converter with an ultra-low input voltage. Journal of Power Electronics, 21(1), 198-206.