Samsung Electronics hat kürzlich den branchenweit dünnsten 12-nm-LPDDR5X-DRAM-Chip angekündigt, der nur 0,65 mm dick ist, um der wachsenden Nachfrage nach künstlicher Intelligenz in Mobilgeräten gerecht zu werden. Dieser ultradünne Chip spart nicht nur Platz, sondern verbessert auch die Effizienz des Wärmemanagements und bietet so eine solide Garantie für Hochleistungsanwendungen in mobilen Geräten. Dieser Schritt stellt für Samsung einen weiteren Durchbruch im Bereich der Speichertechnologie dar und spiegelt auch sein genaues Gespür für zukünftige Trends bei der mobilen KI-Entwicklung wider.
Kürzlich gab Samsung Electronics bekannt, dass es mit der Massenproduktion der branchenweit dünnsten DRAM-Speicherchips (Dynamic Random Access Memory) mit geringem Stromverbrauch begonnen hat, um der wachsenden Nachfrage nach künstlicher Intelligenz (KI) auf Mobilgeräten gerecht zu werden.
Die von Samsung eingeführten LPDDR5X-DRAM-Chips mit 12 Nanometern (nm), 12 GB und 16 GB sind dieses Mal nur so dünn wie ein Fingernagel und markieren die treibende Kraft der KI-Technologie bei der Nachfrage nach elektronischen Produkten.
Samsung nutzte seine Expertise im Chip-Packaging, um erfolgreich ultradünne LPDDR5X-DRAM-Pakete zu entwickeln. Dieses Design schafft nicht nur mehr Platz für mobile Geräte, es verbessert auch die Luftzirkulation und trägt zu einem effizienteren Wärmemanagement bei. Mit der kontinuierlichen Entwicklung leistungsstarker Anwendungen und komplexer Funktionen wird die Bedeutung des Wärmemanagements immer wichtiger und die neuesten Produkte von Samsung werden gerade geboren.
Auch in puncto Leistung schneiden die LPDDR5X DRAM-Chips von Samsung gut ab. Unternehmensleiter YongCheol Bae erwähnte in der Erklärung: „Unser LPDDR5X-DRAM setzt einen neuen Standard für leistungsstarke mobile KI-Lösungen, der nicht nur die LPDDR-Leistung übertrifft, sondern auch ein fortschrittliches Wärmemanagement in einem ultrakompakten Paket ermöglicht.“ Samsung hat sich dazu verpflichtet kontinuierliche Innovation, um den zukünftigen Anforderungen des Low-Power-DRAM-Marktes durch enge Zusammenarbeit mit Kunden gerecht zu werden.
Es ist erwähnenswert, dass das neue LPDDR5X-DRAM-Gehäuse von Samsung eine vierschichtige Stapelstruktur verwendet, wodurch die Dicke um etwa 9 % reduziert wird, während die Wärmewiderstandsleistung um 21,2 % verbessert wird , was sogar besser ist als beim Produkt der vorherigen Generation. Durch die Optimierung der Technologie für Leiterplatten (PCB) und Epoxidharz-Formmaterial (EMC) erreicht die Dicke des neuen LPDDR-DRAM-Gehäuses 0,65 mm, was derzeit die dünnste unter den LPDDR-DRAMs über 12 GB ist, was die Wettbewerbsfähigkeit des Produkts weiter steigert.
In Zukunft plant Samsung, 0,65-mm-LPDDR5X-DRAM an Hersteller von Mobilprozessoren und Mobilgeräten zu liefern, um den DRAM-Markt mit geringem Stromverbrauch weiter auszubauen. Da die Marktnachfrage nach leistungsstarken mobilen Speicherlösungen mit hoher Dichte und kleineren Gehäusegrößen weiter wächst, plant Samsung auch die Entwicklung von 6-lagigen 24-GB- und 8-lagigen 32-GB-Modulen, um dünnere LPDDR-DRAM-Produkte auf den Markt zu bringen, um den Anforderungen der Zukunft gerecht zu werden Geräte .
Highlight:
Samsung hat mit der Massenproduktion ultradünner LPDDR5X-DRAM-Chips begonnen, die den KI-Anforderungen mobiler Geräte gerecht werden sollen.
?Der neue Speicher ist nur 0,65 mm dick und damit dünner als die vorherige Generation, und seine Wärmewiderstandsleistung ist deutlich verbessert.
Samsung plant, den DRAM-Markt mit geringem Stromverbrauch zu erweitern und mehr leistungsstarke Speicherlösungen mit hoher Dichte auf den Markt zu bringen.
Der von Samsung auf den Markt gebrachte ultradünne LPDDR5X DRAM-Chip stellt nicht nur einen Durchbruch auf dem Gebiet der Speichertechnologie dar, sondern läutet auch die boomende Entwicklung von KI-Anwendungen in mobilen Geräten ein. Auch in Zukunft wird Samsung weiterhin Innovationen entwickeln und eine leistungsfähigere Speicherunterstützung für mobile Geräte bereitstellen.